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《硅片薄膜厚度的测试 光学反射法》起草发布

2020-10-16作者:浏览次数:616
为了防止外延工艺中自掺杂,通常在硅片的背面生产氧化膜作为背密封膜,但膜厚和均匀性直接影响多晶层的品质和均匀性,因此有序地规范了集成电路的后工序的成品率
在半导体产业中,膜厚测量是单晶硅晶圆表面的电介质材料和光致抗蚀剂等膜厚和平坦度质量控制的重要手段,也包括很多分光反射法、迈克尔逊干涉仪、椭圆偏振光法、x射线干涉法、射线反射散射法、颜色比较法等为了改变这一点,研半导体材料株式会社根据《国家标准管理委员会关于下达第一批推荐性国家标准计划的通知》的要求起草了《硅片薄膜厚度的测试 光学反射法》
《硅片薄膜厚度的测试 光学反射法》
为了确保标准的科学性、适用性和可行性,起草小组按照GB/T  1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草,引用了GB/T  14264《半导体材料术语》和GB/T  25915.1《洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级》。
阅读标准的意见听取原稿时,《硅片薄膜厚度的测试 光学反射法》规定了使用光学反射法测量硅片表面的二氧化硅或多晶薄膜层的厚度的方法,该方法所需的设备包括光源、能够接收反射光束的分光器、光纤和组合镜头、样品台和控制系统。
为了确保实验的顺利进行,标准也指出了应对干扰因素的多种方法:环境中的强光、磁场、温度、湿度等变动会影响测试结果,因此建议在六级以上的清洁实验室进行实验操作。 样品的表面粗糙度影响测试结果,进行镜面研磨处理。 样品表面的薄膜和作为样品基板的材料可能无法拟合理想的曲线,需要在两者之间添加其他材料。 测试薄膜的厚度不够,得不到1个周期的反射率振动时,在调节入射波长等条件下可以达到理想的拟合曲线。
《硅片薄膜厚度的测试 光学反射法作为推荐性国家标准发表实施,相信有利于薄膜测试的简化和薄膜厚度评价标准的规范化,促进行业统一和产品质量的管理,有助于集成电路国有化的研究和发展。

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