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半导体的未来-纳米级超薄硒化铟

2019-11-18作者:浏览次数:356  来源:上海巨纳科技有限公司
半导体的未来-纳米级超薄硒化铟石墨烯是由一层碳原子组成,与石墨烯不同,硒化铟是铟原子(In)和硒原子(Se)的二元化合物,厚度为四个原子,原子排列顺序为Se-In-In-Se。
纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料,其厚度从一层(~0.83 nm)到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主—英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆的实验室进行的。近日乌克兰和英国科学家在《Nature Nanotechnology》杂志上发表联合文章《高电子迁移率、量子霍尔效应和纳米级超薄硒化铟中的异常光学响应》,认为硒化铟的实际应用有可能导致纳米电子学的革命。
 科学家们发现,这种材料的超薄纳米层具有定性区别于其它类石墨烯二维(2D)晶体的独特性能。因此,获得的硒化铟样品中,电子的迁移率(即速度)很高,尤其是与二硫化钼和二硒化钼相比,这个参数值很高。这一重要特性使得其在提高设备性能方面显得尤为重要。在类似于石墨烯的低维材料里,硒化铟具有天然超薄的形态,使真正纳米级的工艺成为可能。又和硅类似,硒化铟是的半导体。

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