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国内磁强计研发获新进展
2019-09-10作者:浏览次数:6  来源:武汉物理与数学研究所
仪器设备网资讯中心讯:
芯片化是分子磁强计设计构思的将来发展前景。最近,中科院武汉市物理学与数学课研究室CPT频标组科技人员明确提出这种应用场景单束多色多偏振光与分子功效的磁强计摄像头方案设计,可运用芯片尺寸的微型化分子制动气室获得高灵敏磁敏数据信号,为芯片级高精分子磁强计设计构思出示了这种行得通的计划方案。科学研究結果以快报方式发布在Physical Review Applied 上。
磁强计研发获新进展
磁强计
现阶段技术性上比较成熟期的芯片级分子磁强计选用双共震计划方案,其电磁场敏感度不高,在10pT/Hz1/2重量级。传统式的高精分子磁强计选用法拉第旋光基本原理设计构思,因为需选用散播方位互相竖直的双束光与分子功效,因而无法集成ic化。
工程师职称张奕等选用单束多色多偏振光与分子功效,保持了与传统式法拉第旋光效用分子磁强计计划方案同样的功效实际效果,评测获得的电磁场敏感度为20fT/Hz1/2。因为该计划方案选用单束光取代双束光与分子功效,故可大大的减少摄像头容积,便于保持集成ic化。
此项工作中遭受国家科技部重中之重产品研发方案、自然科学基金青年基金支助。
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